(1)過電壓保護
  下圖為采用IGBT作為開關(guān)器件的變頻器逆變電路圖。當(dāng)IGBT關(guān)斷時,由于主回路電流的急劇變化,由主回路雜散電感引起高壓,產(chǎn)生開關(guān)浪涌電壓。

 IGBT在關(guān)斷過程中,當(dāng)峰值電壓Uc超過其安全工作區(qū)時,IGBT就有可能損壞,采用緩沖電路可以抑制開關(guān)浪涌電壓。在選擇緩沖電路元器件時應(yīng)該注意,緩沖電容盡量用無感電容,緩沖二極管必須是正向過渡電壓低、反向恢復(fù)時間短、反向恢復(fù)特性軟的二極管。如果恢復(fù)時間長、二極管的功耗大、恢復(fù)特性硬,容易引起IGBT的C、E極間電壓振蕩。接線應(yīng)盡量短,以減小分布電感。